对比图
型号 CPH3351-TL-H CPH3351-TL-W 2SJ626-T1B-AT
描述 1.8A,-60V,P沟道MOSFETCPH3351-TL-W 编带Thin-Type P-CH 60V 1.5A
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 3 -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 Thin-Type
无卤素状态 Halogen Free - -
极性 P-CH P-Channel P-CH
耗散功率 1W (Ta) 1 W -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 1.8A 1.8A 1.5A
上升时间 5.4 ns 5.4 ns -
输入电容(Ciss) 262pF @20V(Vds) 262pF @20V(Vds) -
额定功率(Max) 1 W - -
下降时间 19 ns 19 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta) -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.19 Ω -
阈值电压 - 2.6 V -
输入电容 - 262 pF -
长度 2.9 mm 2.9 mm -
宽度 1.6 mm - -
高度 0.9 mm - -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 Thin-Type
材质 Silicon Silicon -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free