对比图
描述 NTE ELECTRONICS 2N5884 TRANSISTOR PNP SILICON 80V, IC-25A TO-3 CASE HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS COMP TO 2N5886中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching ApplicationsON SEMICONDUCTOR BD441G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 15 hFE 新
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 分立器件双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Through Hole
封装 - TO-126-3 TO-225-3
引脚数 - - 3
频率 - 3 MHz 3 MHz
额定电压(DC) - -32.0 V 80.0 V
额定电流 - -4.00 A 4.00 A
极性 - PNP NPN
耗散功率 - 36 W 36 W
击穿电压(集电极-发射极) - 32 V 80 V
集电极最大允许电流 - 4A 4A
最小电流放大倍数(hFE) - 40 @10mA, 5V 40 @500mA, 1V
额定功率(Max) - 36 W 36 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) - 36000 mW 36000 mW
针脚数 - - 3
增益频宽积 - - 3 MHz
直流电流增益(hFE) - - 15
长度 - 8 mm 7.74 mm
宽度 - 3.25 mm 2.66 mm
高度 - 11 mm 11.04 mm
封装 - TO-126-3 TO-225-3
工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bulk Bulk
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99