THS4631DR和THS4631DRE4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS4631DR THS4631DRE4 THS4631DDA

描述 高电压,高压摆率,宽带FET输入运算放大器 HIGH-VOLTAGE, HIGH SLEW RATE, WIDEBAND FET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERHigh Speed FET-Input Operational Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃TEXAS INSTRUMENTS  THS4631DDA  运算放大器, 单路, 210 MHz, 1个放大器, 1000 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

通道数 1 1 1

耗散功率 1.1 W 1100 mW 2.3 W

共模抑制比 86 dB 86 dB 86 dB

带宽 210 MHz 210 MHz 210 MHz

转换速率 1.00 kV/μs 1.00 kV/μs 1.00 kV/μs

增益频宽积 210 MHz 210 MHz 210 MHz

可用通道 S S S

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) - 30 V -

电源电压(Min) - 10 V -

供电电流 11.5 mA - 11.5 mA

电路数 1 - 1

输入补偿漂移 2.50 µV/K - 2.50 µV/K

输入补偿电压 260 µV - 0.5 mV

输入偏置电流 50 pA - 0.1 nA

3dB带宽 325 MHz - 325 MHz

增益带宽 210 MHz - 210 MHz

耗散功率(Max) 1100 mW - 2300 mW

共模抑制比(Min) 86 dB - 86 dB

针脚数 - - 8

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.91 mm 6.2 mm

高度 - 1.58 mm 1.55 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃

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