对比图
型号 MJE200STU MJE200TSTU MJE200G
描述 MJE200 Series 25V 5A 15W SMT NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-126Trans GP BJT NPN 25V 5A 3Pin(3+Tab) TO-126 RailON SEMICONDUCTOR MJE200G 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 65 MHz, 15 W, 5 A, 10 hFE 新
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
频率 65 MHz - 65 MHz
额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 25.0 V
额定电流 5.00 A 5.00 A 5.00 A
针脚数 - - 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 15 W - 15 W
增益频宽积 65 MHz - 65 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 40 V
热阻 - - 8.34℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流 5A 5A 5A
最小电流放大倍数(hFE) 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V
额定功率(Max) 15 W 15 W 15 W
直流电流增益(hFE) - - 10
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 15000 mW 15 W 15000 mW
最大电流放大倍数(hFE) 180 - -
长度 8 mm - 7.8 mm
宽度 3.25 mm - 2.66 mm
高度 11.2 mm - 11.04 mm
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99