MJE200 Series 25V 5A 15W SMT NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-126
Bipolar BJT Transistor NPN 25 V 5 A 65MHz 15 W Through Hole TO-126-3
得捷:
TRANS NPN 25V 5A TO126-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
富昌:
NPN 15 W 25 V 5 A 通孔 外延硅 晶体管 - TO-126-3
Verical:
Trans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin3+Tab TO-126 Rail
Win Source:
TRANS NPN 25V 5A TO-126
频率 65 MHz
额定电压DC 25.0 V
额定电流 5.00 A
极性 NPN
耗散功率 15 W
增益频宽积 65 MHz
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 45 @2A, 1V
最大电流放大倍数hFE 180
额定功率Max 15 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 15000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJE200STU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
KSE200STSTU 飞兆/仙童 | 完全替代 | MJE200STU和KSE200STSTU的区别 |
MJE200TSTU 飞兆/仙童 | 类似代替 | MJE200STU和MJE200TSTU的区别 |
MJE200G 安森美 | 功能相似 | MJE200STU和MJE200G的区别 |