对比图
型号 IRF9956TRPBF SP8K5FU6TB FDS6961A
描述 MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.1Ω; ID 3.5A; SO-8; PD 2W; VGS +/-20VSOP N-CH 30V 3.5AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6961A.. 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3.5 A, 30 V, 90 mohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOP-8 SOIC-8
额定电压(DC) 20.0 V - 30.0 V
额定电流 3.50 A - 3.50 A
漏源极电阻 0.2 Ω 150 mΩ 0.09 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 2 W 2 W 2 W
产品系列 IRF9956 - -
输入电容 190pF @15V - 220 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V 30.0V (min) 30.0 V
连续漏极电流(Ids) 3.50 A 3.50 A 3.50 A
上升时间 8.80 ns 6 ns 11 ns
输入电容(Ciss) 190pF @15V(Vds) 140pF @10V(Vds) 220pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 2 W 900 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
阈值电压 - 2.5 V 1.8 V
下降时间 - 4 ns 3 ns
耗散功率(Max) - 2000 mW 2 W
针脚数 - - 8
栅电荷 - - 2.10 nC
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 5 mm - 5 mm
高度 1.5 mm - 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOP-8 SOIC-8
宽度 - - 4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99