对比图
型号 FDB28N30TM FQB25N33TM
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB28N30TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 300 V, 108 mohm, 10 V, 5 V330V N沟道MOSFET 330V N-Channel MOSFET
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 2 -
封装 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 2 -
漏源极电阻 108 mΩ 230 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 250 W 3.1W (Ta), 250W (Tc)
阈值电压 5 V -
输入电容 2.25 nF 2.01 nF
漏源极电压(Vds) 300 V 330 V
连续漏极电流(Ids) 28.0 A 25.0 A
上升时间 135 ns -
输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 2010pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 250 W 3.1 W
下降时间 69 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 250W (Tc) 3.1W (Ta), 250W (Tc)
额定电压(DC) - 330 V
额定电流 - 25.0 A
栅电荷 - 75.0 nC
漏源击穿电压 - 330 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V
长度 10.67 mm -
宽度 11.33 mm -
高度 4.83 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99