SPD03N50C3和SPD03N50C3ATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPD03N50C3 SPD03N50C3ATMA1 SIHD5N50D-GE3

描述 INFINEON  SPD03N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  SPD03N50C3ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MOSFET,D 系列高电压,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3-1 TO-252-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1.25 Ω 1.25 Ω 1.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 38 W 38 W 104 W

阈值电压 3 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 560 V 560 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 3.20 A 3.2A -

上升时间 5 ns 5 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) 325pF @100V(Vds)

下降时间 15 ns 15 ns 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 38W (Tc) 38W (Tc) 104 W

额定功率(Max) 38 W - 104 W

额定电压(DC) 560 V - -

额定电流 3.20 A - -

通道数 1 - -

封装 TO-252-3 TO-252-3-1 TO-252-3

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.41 mm - 2.38 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended Discontinued at Digi-Key -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

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