J111和J111_D26Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J111 J111_D26Z J111_D75Z

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J111  晶体管, 射频FET, 35 V, 625 mW, TO-92FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J111_D26Z  晶体管, JFET, JFET, -35 V, 20 mA, -10 V, TO-226AA, JFETJFET N-CH 35V 625mW TO92

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) 35.0 V 35.0 V -

额定电流 50.0 mA 50.0 mA -

额定功率 350 mW - -

击穿电压 -35.0 V - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 30 Ω 30 Ω 30 Ω

极性 N-Channel - -

耗散功率 625 mW 625 mW -

漏源极电压(Vds) 35 V 35.0 V -

连续漏极电流(Ids) 20.0 mA 20.0 mA -

击穿电压 35 V 35 V 35 V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 625 mW -

长度 5.2 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台