MMBTA64和MMBTA64LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBTA64 MMBTA64LT1G BCV26

描述 Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR  MMBTA64LT1G  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 10000 hFEDarlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

耗散功率 350 mW 300 mW 350 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

最小电流放大倍数(hFE) 20000 @100mA, 5V 20000 @100mA, 5V 20000 @100mA, 5V

额定功率(Max) 350 mW 225 mW 350 mW

直流电流增益(hFE) 10000 20000 20000

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 125MHz (Min) 125MHz (Min) 220 MHz

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 350 mW

额定电压(DC) - -30.0 V -

额定电流 - -500 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

极性 - PNP, P-Channel -

集电极最大允许电流 - 0.5A -

长度 2.92 mm 3.04 mm 2.92 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.93 mm 1.01 mm 0.93 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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