BUK6207-55C,118和CSD18534KCS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK6207-55C,118 CSD18534KCS STD60N55F3

描述 DPAK N-CH 55V 90A60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD18534KCSN 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 158 W 98 W 110 W

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 90A 100A 80A

上升时间 44 ns 4.8 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 5160pF @25V(Vds) 1880pF @30V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 158 W 98 W 110 W

下降时间 78 ns 2.4 ns 11.5 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 158W (Tc) 107W (Tc) 110W (Tc)

输入电容 - - 2200 pF

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0076 Ω -

阈值电压 - 1.9 V -

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3

长度 - - 6.6 mm

宽度 - 4.7 mm 6.2 mm

高度 - - 2.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - - EAR99

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