BC849CW,115和BC849CW,135

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC849CW,115 BC849CW,135 BAS70-04W

描述 NXP  BC849CW,115  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 420 hFESC-70 NPN 30V 0.1ANXP  BAS70-04W  小信号肖特基二极管, 双系列, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323

频率 100 MHz - -

针脚数 3 - 3

极性 NPN NPN -

耗散功率 200 mW 200 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 200 mW 200 mW -

直流电流增益(hFE) 420 - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW -

正向电压 - - 410 mV

正向电流 - - 70 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 100 mA

正向电压(Max) - - 1 V

最大电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V -

长度 2.2 mm - -

宽度 1.35 mm - -

高度 1 mm - -

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

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