对比图
描述 Trans GP BJT NPN 80V 4A 3Pin(3+Tab) TO-126 Rail功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICONON SEMICONDUCTOR BD441G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 15 hFE 新
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-126-3 TO-220-3 TO-225-3
频率 - 10 MHz 3 MHz
额定电压(DC) 80.0 V - 80.0 V
额定电流 4.00 A - 4.00 A
针脚数 - 3 3
极性 NPN - NPN
耗散功率 - 40 W 36 W
增益频宽积 - - 3 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 350 V 80 V
集电极最大允许电流 4A - 4A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @500mA, 1V 30 @300mA, 10V 40 @500mA, 1V
额定功率(Max) 36 W 2 W 36 W
直流电流增益(hFE) - 150 15
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 36 W 40000 mW 36000 mW
长度 - - 7.74 mm
宽度 - - 2.66 mm
高度 - - 11.04 mm
封装 TO-126-3 TO-220-3 TO-225-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Rail Bag Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99