BD681G和BD681S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD681G BD681S BD681

描述 ON SEMICONDUCTOR  BD681G.  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD681S  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFEMULTICOMP  BD681  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Multicomp

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 4.00 A 4.00 A -

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 40 W 40 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 4A 4A -

最小电流放大倍数(hFE) 750 750 @1.5A, 3V -

额定功率(Max) 40 W 40 W -

直流电流增益(hFE) 750 750 750

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 40000 mW 40 W -

额定功率 - 40 W -

长度 7.74 mm 8 mm -

宽度 2.66 mm 3.25 mm -

高度 11.04 mm 11 mm -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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