对比图
型号 NTD20N06LT4G STD30NF06LT4 FQD20N06TM
描述 ON SEMICONDUCTOR NTD20N06LT4G 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAKSTMICROELECTRONICS STD30NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD20N06TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 16.8 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 20.0 A 35.0 A 16.8 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.039 Ω 0.022 Ω 0.05 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 60 W 70 W 38 W
阈值电压 1.6 V 1.7 V 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±15.0 V ±20.0 V ±25.0 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A, 20.0 mA 35.0 A 16.8 A
上升时间 98 ns 105 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 990pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds) 590pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.36 W 70 W 2.5 W
下降时间 62 ns 25 ns 25 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.36 W 70W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc)
额定功率 60 W - -
通道数 1 - -
输入电容 7.7pF @25V 1600 pF -
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.1 mm
高度 2.38 mm 2.4 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99