对比图
型号 BC308B BC308CBU BC307BRL1G
描述 1W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.1A Ic, 200 - 460 hFTrans GP BJT PNP 25V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon
数据手册 ---
制造商 Continental Device Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - - 3
封装 - TO-226-3 TO-92-3
频率 - - 280 MHz
额定电压(DC) - - -45.0 V
额定电流 - - -100 mA
极性 - PNP PNP
耗散功率 - - 350 mW
增益频宽积 - - 280 MHz
击穿电压(集电极-发射极) - 25 V 45 V
集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) - 380 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V
额定功率(Max) - 500 mW 350 mW
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 350 mW
长度 - - 5.2 mm
宽度 - - 4.19 mm
高度 - - 5.33 mm
封装 - TO-226-3 TO-92-3
材质 - - Silicon
工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - 无铅 Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99