对比图
型号 DS1230Y-120IND+ DS1230AB-120+ DS1230Y-200IND+
描述 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-120IND+ 芯片, 存储器, NVRAMRAM，Maxim Integrated### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块，用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230Y-200IND+ 芯片, 存储器, NVRAM
数据手册 ---
制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 28 28 28
封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28
电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)
针脚数 28 28 28
时钟频率 120 GHz 120 GHz 200 GHz
存取时间 120 ns 120 ns 200 ns
内存容量 32000 B 32000 B 32000 B
工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max) 5.5 V 5.25 V 5.5 V
电源电压(Min) 4.5 V 4.75 V 4.5 V
长度 39.12 mm 39.12 mm -
宽度 18.8 mm 18.8 mm -
高度 9.4 mm 9.4 mm -
封装 DIP-28 DIP-28 EDIP-28
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tube Each Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free