对比图
型号 IRLR3103 IRLR3103PBF IRLR3103TRPBF
描述 DPAK N-CH 30V 55AN 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRLR3103TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 55 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1 V 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 107W (Tc) 107 W 107 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 55A 55A 55A
输入电容(Ciss) 1600pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 107W (Tc) 107W (Tc) 107W (Tc)
额定功率 - 69 W 69 W
额定功率(Max) - 107 W 107 W
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.019 Ω
阈值电压 - - 1 V
上升时间 - - 210 ns
反向恢复时间 - - 81 ns
正向电压(Max) - - 1.3 V
下降时间 - - 54 ns
工作结温 - - -55℃ ~ 175℃
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.39 mm 2.39 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 - Rail, Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17