对比图
型号 BSB028N06NN3GXUMA1 BSC028N06NSATMA1 BSB028N06NN3G
描述 INFINEON BSB028N06NN3GXUMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 3 VINFINEON BSC028N06NSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0025 ohm, 10 V, 2.8 V60V,2.8mΩ,90A,N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 7 8 7
封装 WDSON-2-3 PG-TDSON-8 MG-WDSON-2
额定功率 78 W 83 W -
针脚数 3 8 -
漏源极电阻 0.0022 Ω 0.0025 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 78 W 83 W -
阈值电压 3 V 2.8 V -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -
连续漏极电流(Ids) 22A 100A -
上升时间 9 ns 38 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 8800pF @30V(Vds) 2700pF @30V(Vds) 8800pF @30V(Vds)
下降时间 6 ns 8 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 2200 mW 2.5W (Ta), 83W (Tc) 78 W
通道数 - 1 -
长度 6.35 mm 6.1 mm 6.35 mm
宽度 5.05 mm 5.15 mm 5.05 mm
高度 0.53 mm 1.1 mm 0.53 mm
封装 WDSON-2-3 PG-TDSON-8 MG-WDSON-2
材质 Silicon - -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -