对比图
型号 STW13NK100Z STW20NM60FD IXFH14N100Q2
描述 STMICROELECTRONICS STW13NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 1 kV, 700 mohm, 10 V, 3.75 VN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsIXYS SEMICONDUCTOR IXFH14N100Q2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 1 kV, 900 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 1.00 kV 600 V -
额定电流 13.0 A 20.0 A -
通道数 1 - -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 700 mΩ 0.26 Ω 0.9 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 350 W 214 W 500 W
阈值电压 3.75 V 4 V 5 V
漏源极电压(Vds) 1 kV 600 V 1 kV
漏源击穿电压 1000 V 600 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 13.0 A 20.0 A 14.0 A
上升时间 35 ns 12 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 6000pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 2700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 350 W 214 W -
下降时间 45 ns 22 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350W (Tc) 214W (Tc) 500W (Tc)
输入电容 - 1.30 nF -
栅电荷 - 37.0 nC -
长度 15.75 mm 15.75 mm 16.26 mm
宽度 5.15 mm 5.15 mm 5.3 mm
高度 20.15 mm 20.15 mm 21.46 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
重量 - - 6.00 g
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 -