FJV4102R和MMUN2111LT3G

对比图

型号 FJV4102R MMUN2111LT3G MMUN2111LT3

描述 PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor数字晶体管（ BRT ） R1 = 10千欧， R2 = 10千？ Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

额定电压(DC) - -50.0 V -

额定电流 - -100 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

极性 PNP PNP -

耗散功率 - 0.4 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) - 35 @5mA, 10V -

额定功率(Max) - 246 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 400 mW -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -