对比图
型号 IPP075N15N3G IPP075N15N3GXKSA1
描述 OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)INFINEON IPP075N15N3GXKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 6.2 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 - 300 W
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.0062 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 300 W
阈值电压 - 3 V
漏源极电压(Vds) - 150 V
连续漏极电流(Ids) - 100A
上升时间 - 35 ns
输入电容(Ciss) - 5470pF @75V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W
下降时间 - 14 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
香港进出口证 NLR -