BUB323ZT4和BUB323ZT4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUB323ZT4 BUB323ZT4G BUB323ZG

描述 NPN硅达林顿功率 NPN Silicon Power DarlingtonON SEMICONDUCTOR  BUB323ZT4G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 350 V, 2 MHz, 150 W, 10 A, 500 hFENPN硅达林顿功率高压Autoprotected D2PAK封装的表面贴装 NPN Silicon Power Darlington High Voltage Autoprotected D2PAK for Surface Mount

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 350 V 350 V 350 V

额定电流 10.0 A 10.0 A 10.0 A

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 150 W 150 W

输入电容 - 550 pF -

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V

集电极最大允许电流 10A 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 500 @5A, 4.6V 500 @5A, 4.6V 500 @5A, 4.6V

最大电流放大倍数(hFE) - 3400 3400

额定功率(Max) 150 W 150 W 150 W

直流电流增益(hFE) - 500 3

下降时间 - 625 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 150000 mW 150000 mW

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.29 mm

宽度 - - 9.65 mm

高度 - - 4.83 mm

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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