IPW60R070C6和STW55NM60ND

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPW60R070C6 STW55NM60ND FCH47N60F_F133

描述 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能STMICROELECTRONICS  STW55NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 51 A, 600 V, 0.047 ohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCH47N60F_F133  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.062 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

通道数 1 - -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 391W (Tc) 350 W 417 W

阈值电压 3 V 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 53A - 47A

上升时间 12 ns 68 ns 210 ns

输入电容(Ciss) 3800pF @100V(Vds) 5800pF @50V(Vds) 8000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 391 W 350 W 417 W

下降时间 5 ns 96 ns 75 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 391W (Tc) 350W (Tc) 417W (Tc)

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.047 Ω 0.062 Ω

长度 16.13 mm 15.75 mm 15.6 mm

宽度 5.21 mm 5.15 mm 4.7 mm

高度 21.1 mm 20.15 mm 20.6 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -

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