IPB054N06N3G和SPB80N06S2L-05

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB054N06N3G SPB80N06S2L-05 SPB80N06S2-H5

描述 的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-Transistor的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263 TO-263-3-2 TO-263-3

引脚数 3 - -

额定电压(DC) - 55.0 V 55.0 V

额定电流 - 80.0 A 80.0 A

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 115 W 300W (Tc) 300W (Tc)

输入电容 - 7.53 nF 550 pF

栅电荷 - 230 nC 155 nC

漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) - 80.0 A 80.0 A

输入电容(Ciss) - 7530pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 300 W

耗散功率(Max) - 300W (Tc) 300W (Tc)

封装 TO-263 TO-263-3-2 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

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