对比图
型号 PHD108NQ03LT PHD108NQ03LT,118
描述 Power Field-Effect TransistorNXP PHD108NQ03LT,118 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 25 V, 0.0053 ohm, 10 V, 1.5 V
数据手册 --
制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 - TO-252-3
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.0053 Ω
极性 - N-Channel
耗散功率 - 187 W
阈值电压 - 1.5 V
漏源极电压(Vds) - 25 V
连续漏极电流(Ids) - 75.0 A
上升时间 - 38 ns
输入电容(Ciss) - 1375pF @12V(Vds)
额定功率(Max) - 187 W
下降时间 - 25 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 187W (Tc)
封装 - TO-252-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17