对比图
型号 IRF8736PBF SI4634DY-T1-GE3 STS17NH3LL
描述 INFINEON IRF8736PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1.8 VVISHAY SI4634DY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 24.5A, SOIC, 整卷N沟道30V - 0.004ohm - 17A - SO-8的STripFET功率MOSFET用于DC-DC转换 N-channel 30V - 0.004OHM - 17A - SO-8 STripFET Power MOSFET for DC-DC conversion
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 2.5 W - -
通道数 1 - -
针脚数 8 8 -
漏源极电阻 0.0048 Ω 6.7 mΩ 0.004 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.7 W
阈值电压 1.8 V 2.6 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 18A 24.5 A 17.0 A
上升时间 15 ns - 65 ns
正向电压(Max) 1 V - -
输入电容(Ciss) 2315pF @15V(Vds) - 1810pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W - 2.7 W
下降时间 7.5 ns - 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.7W (Tc)
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 17.0 A
输入电容 - - 1.81 nF
栅电荷 - - 24.0 nC
长度 5 mm - -
宽度 4 mm 3.9 mm -
高度 1.5 mm - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active - Obsolete
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17