对比图
型号 AUIRF7379Q SI4532CDY-T1-GE3
描述 MOSFET，InfineonInfineon 的 HEXFET® MOSFET 技术提供了 AECQ-101 汽车资格双芯片 MOSFET 设备。 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备，以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项，设计人员可以选择双 N 通道、双 P 通道或双 N/P 通道配置。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N和P沟道30 V（D -S）的MOSFET N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 2.5 W -
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 2.5 W 1.78 W
产品系列 AUIRF7379Q -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5 W 2.78 W
针脚数 - 8
漏源极电阻 - 0.038 Ω
阈值电压 - 1 V
漏源极电压(Vds) - 30 V
连续漏极电流(Ids) - 6A
输入电容(Ciss) - 305pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 2.78 W
长度 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
最小包装 - 2500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
含铅标准 - Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99