CJD44H11和NJVMJD44H11T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CJD44H11 NJVMJD44H11T4G MJD44H11T4G

描述 DPAK NPN 80V 8ANPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管ON SEMICONDUCTOR  MJD44H11T4G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 40 hFE 新

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 8A 8A 8A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 20000 mW 1750 mW 1750 mW

频率 - 85 MHz 85 MHz

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

针脚数 - 3 3

耗散功率 - 1.75 W 20 W

最小电流放大倍数(hFE) - 60 40 @4A, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - 60 @2A, 1V -

直流电流增益(hFE) - 40 60

额定电压(DC) - - 80.0 V

额定电流 - - 8.00 A

额定功率(Max) - - 1.75 W

封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.38 mm 2.38 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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