FDPF15N65和STP55NF06

对比图

型号 FDPF15N65 STP55NF06 FDPF15N65YDTU

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDPF15N65  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 650 V, 0.36 ohm, 10 V, 5 VMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道MOSFET UniFETTM 650 V， 15 A ， 440英里???? N-Channel UniFETTM MOSFET 650 V, 15 A, 440 m

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 1 1

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.36 Ω 0.015 Ω 440 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 38.5 W 30 W 38.5 W

阈值电压 5 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 650 V 60 V 650 V

漏源击穿电压 650 V 60.0 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 50.0 A 15A

上升时间 125 ns 50 ns 125 ns

输入电容(Ciss) 3095pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 3095pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 38.5 W 110 W -

下降时间 65 ns 15 ns 65 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 38.5W (Tc) 110W (Tc) 38.5W (Tc)

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 50.0 A -

额定功率 - 110 W -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 10.16 mm 10.4 mm 10.67 mm

宽度 4.9 mm 4.6 mm 4.7 mm

高度 15.87 mm 9.15 mm 16.3 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -