对比图
型号 STP5NK100Z STW9NB90 IXFP4N100Q
描述 STMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VN沟道900V - 0.85ohm - 9.7A - TO- 247 MOSFET的PowerMESH N-CHANNEL 900V - 0.85ohm - 9.7A - TO-247 PowerMESH MOSFETIXYS SEMICONDUCTOR IXFP4N100Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1 kV, 3 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
引脚数 3 - 3
通道数 1 1 1
漏源极电阻 3.7 Ω 1 Ω 3 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 125 W 190 W 156 W
漏源极电压(Vds) 1 kV 900 V 1 kV
漏源击穿电压 1.00 kV 900 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) 3.50 A 9.7A 4.00 A
上升时间 7.7 ns 13 ns 15 ns
下降时间 19 ns 26 ns 18 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) 1.00 kV - -
额定电流 3.50 A - -
额定功率 125 W - -
针脚数 3 - 3
阈值电压 3.75 V - 5 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
输入电容(Ciss) 1154pF @25V(Vds) - 1050pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 125 W - 150 W
耗散功率(Max) 125W (Tc) - 150W (Tc)
反向恢复时间 - - 250 ns
长度 10.4 mm 15.75 mm 10.66 mm
宽度 4.6 mm 5.15 mm 4.83 mm
高度 9.15 mm 20.15 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 - -