对比图
型号 STP5NK100Z STP80NF55L-06 IXFP4N100Q
描述 STMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STP80NF55L-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 VIXYS SEMICONDUCTOR IXFP4N100Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1 kV, 3 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 1.00 kV 55.0 V -
额定电流 3.50 A 80.0 A -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 3.7 Ω 0.008 Ω 3 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 300 W 156 W
阈值电压 3.75 V 3 V 5 V
漏源极电压(Vds) 1 kV 55 V 1 kV
漏源击穿电压 1.00 kV 55.0 V 1000 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±16.0 V -
连续漏极电流(Ids) 3.50 A 80.0 A 4.00 A
上升时间 7.7 ns 180 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 1154pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds) 1050pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 300 W 150 W
下降时间 19 ns 80 ns 18 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 300W (Tc) 150W (Tc)
通道数 1 - 1
反向恢复时间 - - 250 ns
额定功率 125 W - -
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.66 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.83 mm
高度 9.15 mm 15.75 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -