JANS2N3637和JANTX2N3637

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N3637 JANTX2N3637 2N3637

描述 PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORPNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORTrans GP BJT PNP 175V 1A 3Pin TO-39

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semelab

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 TO-39 TO-39-3 TO-39

安装方式 Through Hole Through Hole -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

耗散功率 1 W 1 W -

击穿电压(集电极-发射极) 175 V 175 V -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @50mA, 10V 100 @50mA, 10V -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

封装 TO-39 TO-39-3 TO-39

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead -

军工级 - Yes -

ECCN代码 EAR99 - -

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