对比图
型号 APT10025JVR IXFN36N100 APT10021JLL
描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 34A 4Pin SOT-227IXYS SEMICONDUCTOR IXFN36N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 1 kV, 240 mohm, 10 V, 5 VSOT-227 N-CH 1000V 37A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Screw Screw Screw
引脚数 4 3 4
封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4
额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV
额定电流 34.0 A 36.0 A 37.0 A
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.24 Ω -
极性 - N-Channel N-CH
耗散功率 700 W 700 W 694 W
阈值电压 - 5 V -
漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1 kV 1000 V
连续漏极电流(Ids) 34.0 A 36.0 A 37.0 A
上升时间 20 ns 55 ns 22 ns
隔离电压 - 2.50 kV -
输入电容(Ciss) 15000pF @25V(Vds) 9200pF @25V(Vds) 9750pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 700 W -
下降时间 16 ns 30 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 700000 mW 700000 mW 694W (Tc)
输入电容 18.0 nF - 9.75 nF
栅电荷 990 nC - 395 nC
长度 - 38.23 mm -
宽度 - 25.42 mm -
高度 - 9.6 mm -
封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4
材质 - Silicon -
重量 - 46.0 g -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -