DTA114YETL和DTA114YUAT106

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA114YETL DTA114YUAT106 DTA114YET1G

描述 PNP -100mA -50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管) PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)PNP 晶体管,ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.ON SEMICONDUCTOR  DTA114YET1G  晶体管 双极预偏置/数字, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率, SC-75 新

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-75-3 SC-70-3 SC-75-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -70.0 mA -70.0 mA -100 mA

额定功率 0.15 W 0.2 W -

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 0.15 W 0.2 W 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 68 @5mA, 5V 68 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - 68 -

额定功率(Max) 150 mW 200 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 250 MHz 250 MHz -

耗散功率(Max) 150 mW 200 mW 300 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

长度 - 2.1 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 0.9 mm -

封装 SC-75-3 SC-70-3 SC-75-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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