UMX1NTN和UMZ1NTR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UMX1NTN UMZ1NTR UMZ1NT1G

描述 ROHM  UMX1NTN  双极晶体管阵列, 双路, NPN, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-363ROHM  UMZ1NTR  双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-363互补的双通用放大器晶体管 Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 3

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

频率 180 MHz - 114 MHz

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 150 mA 150 mA 200 mA

额定功率 0.15 W 0.15 W -

针脚数 6 6 3

极性 NPN NPN, PNP NPN, PNP

耗散功率 150 mW 150 mW 250 mW

增益频宽积 180 MHz - -

集电极击穿电压 60.0 V - 50.0 V

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.15A 0.15A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @1mA, 6V 120 @1mA, 6V 200 @2mA, 6V

最大电流放大倍数(hFE) 560 - -

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 250 mW

直流电流增益(hFE) 120 120 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW 385 mW

长度 2 mm 2 mm -

宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm

高度 0.9 mm 0.9 mm -

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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