ICTE8CHE3_A/D和ICTE8C-E3/73

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICTE8CHE3_A/D ICTE8C-E3/73 1N6382-E3/73

描述 Tvs Diode 8vwm 11.6vc 1.5keDiode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE AmmoDiode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

工作电压 - 8 V 8 V

击穿电压 - 9.4 V 9.4 V

钳位电压 - 11.6 V 11.6 V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 9.4 V 9.4 V 9.4 V

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Ammo Pack Ammo Pack

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

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