2N4922G和BD910

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N4922G BD910 2N4402

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N4922G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 10 hFESTMICROELECTRONICS  BD910  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 3 MHz, 90 W, -10 A, 40 hFENTE ELECTRONICS  2N4402  晶体管, PNP, -40V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-225-3 TO-220-3 TO-92

频率 3 MHz - -

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 1.00 A - -

无卤素状态 Halogen Free - -

针脚数 3 3 3

极性 NPN PNP PNP, P-Channel

耗散功率 30 W 90 W 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 80 V -

热阻 4.16℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 1A - -

最小电流放大倍数(hFE) 30 @500mA, 1V 15 @5A, 4V -

最大电流放大倍数(hFE) 150 - -

额定功率(Max) 30 W 90 W -

直流电流增益(hFE) 10 40 30

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 30000 mW 90000 mW -

集电极击穿电压 - 80.0 V -

长度 7.8 mm - -

宽度 2.66 mm - -

封装 TO-225-3 TO-220-3 TO-92

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Bulk Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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