MJE180G和MJE180STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE180G MJE180STU NTE184

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJE180G  双极晶体管功率 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。NTE ELECTRONICS  NTE184  双极性功率晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126

频率 50 MHz 50 MHz 2 MHz

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V -

额定电流 3.00 A 3.00 A -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 12.5 W 1.5 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 80.0 V

集电极最大允许电流 3A 3A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 50 @100mA, 1V 50 @100mA, 1V -

最大电流放大倍数(hFE) - 250 -

额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 12500 mW 1500 mW 40000 mW

针脚数 3 - 3

直流电流增益(hFE) 50 - 80

长度 7.74 mm 8 mm -

宽度 2.66 mm 3.25 mm -

高度 11.04 mm 11.2 mm -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Design

包装方式 Bulk Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - - 85412900951

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