对比图
型号 FDN340P RTR020P02TL IRLML2244TRPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN340P 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -20 V, 0.06 ohm, -4.5 V, -800 mVROHM RTR020P02TL 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -20 V, 135 mohm, -4.5 V, 2 VINFINEON IRLML2244TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.042 ohm, -4.5 V, -1.1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 TSMT-3 SOT-23-3
额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -
额定电流 -2.00 A -2.00 A -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.06 Ω 135 mΩ 0.042 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 500 mW 1 W 1.3 W
阈值电压 - 2 V 1.1 V
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 2.00 A 2.00 A 4.3A
上升时间 9 ns 13 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 779pF @10V(Vds) 430pF @10V(Vds) 570pF @16V(Vds)
额定功率(Max) 460 mW 1 W 1.3 W
下降时间 11 ns 12 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500 mW 1W (Ta) 1.3W (Ta)
额定功率 - - 1.3 W
通道数 1 - -
输入电容 779 pF - -
栅电荷 7.20 nC - -
漏源击穿电压 -20.0 V - -
栅源击穿电压 ±8.00 V - -
封装 SOT-23-3 TSMT-3 SOT-23-3
长度 2.92 mm - 3.04 mm
宽度 1.4 mm - 1.4 mm
高度 0.94 mm - 1.02 mm
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not For New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - -