对比图
型号 VNB35N0713TR VNV35N0713TR VNB35N07TR-E
描述 MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAKMOSFET OMNIFET 70V 35A POWERSO10STMICROELECTRONICS VNB35N07TR-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器FET驱动器MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 PowerSO-12 TO-263-3
输出接口数 1 1 1
输出电流(Max) 25 A 25 A 25 A
输出电流 - 25 A 35 A
耗散功率 - 125000 mW 125 W
供电电流 - - 0.25 mA
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.028 Ω
极性 - - N-Channel
阈值电压 - - 3 V
漏源极电压(Vds) - - 80 V
连续漏极电流(Ids) - - 18.0 A
输入电压(Max) - - 18 V
输出电流(Min) - - 25 A
输入数 - - 1
工作温度(Max) - - 150 ℃
耗散功率(Max) - - 125000 mW
输入电压 - - 18 V
封装 TO-263-3 PowerSO-12 TO-263-3
长度 - - 10.2 mm
宽度 - - 9.15 mm
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99