对比图
描述 PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon TransistorPNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-3-3 TO-3-3
频率 30 MHz 30 MHz
极性 PNP PNP
耗散功率 130000 mW 130 W
击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V
集电极最大允许电流 17A 17A
最小电流放大倍数(hFE) 55 @1A, 5V 55 @1A, 5V
额定功率(Max) 130 W 130 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -50 ℃ -50 ℃
耗散功率(Max) 130000 mW 130000 mW
额定电压(DC) - -230 V
额定电流 - -15.0 A
长度 15.6 mm -
宽度 4.8 mm -
高度 19.9 mm 18.9 mm
封装 TO-3-3 TO-3-3
材质 Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99