CY7C1412KV18-250BZXI和CY7C1414BV18-200BZXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1412KV18-250BZXI CY7C1414BV18-200BZXI CY7C1412KV18-250BZI

描述 CY7C1381D 系列 36 Mb (2 M x 18) 250 MHz 2.9 V QDR® II SRAM- FBGA-16536 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR ? II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 LBGA-165 FBGA-165

供电电流 610 mA - -

时钟频率 250 MHz - -

位数 18 36 18

存取时间 1 ms - -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

封装 FBGA-165 LBGA-165 FBGA-165

高度 - 0.89 mm 0.89 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 3A991.b.2.a - 3A991.b.2.a

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