PUMB2和PUMB2,115

对比图

型号 PUMB2 PUMB2,115

描述 NXP  PUMB2  双极晶体管阵列, BRT, PNP, 50 V, 200 mW, -100 mA, 80 hFE, SOT-363NXP  PUMB2,115  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, -50 V, -100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SOT-363

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SOT-363 TSSOP-363

耗散功率 200 mW 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 80 80 @5mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - -

额定功率(Max) - 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW

极性 PNP PNP, P-Channel

集电极最大允许电流 100mA 100mA

针脚数 6 -

直流电流增益(hFE) 80 -

长度 2.2 mm -

宽度 1.35 mm -

高度 1 mm 1 mm

封装 SOT-363 TSSOP-363

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - -