对比图
型号 BSP613P IRFL9014TRPBF NDT2955
描述 Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能TRANSISTOR 1.8A, 60V, 0.5Ω, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, FET General Purpose PowerFAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT2955 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -60 V, 300 mohm, -10 V, 2.6 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 4 4
封装 SOT-223-4 TO-261-4 TO-261-4
额定电压(DC) -60.0 V - -60.0 V
额定电流 -2.90 A - -2.50 A
额定功率 - - 3 W
针脚数 - - 4
漏源极电阻 - 0.5 Ω 0.095 Ω
极性 P-CH - P-Channel
耗散功率 1.8W (Ta) 3.1 W 3 W
阈值电压 - - 2.6 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 - - -60.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 2.90 A - 2.50 A
上升时间 - - 10 ns
输入电容(Ciss) 875pF @25V(Vds) 270pF @25V(Vds) 601pF @30V(Vds)
额定功率(Max) - 2 W 1.1 W
下降时间 - - 6 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.8W (Ta) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 3W (Ta)
输入电容 875 pF - -
栅电荷 33.0 nC - -
长度 40 mm - 6.5 mm
宽度 40 mm - 3.56 mm
高度 1.5 mm - 1.6 mm
封装 SOT-223-4 TO-261-4 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 - - NLR