对比图
型号 BSM75GB120DN2 CM75DY-24H SM75
描述 IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)IGBT MOD DUAL 1200V 75A H SERInsulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel,
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Powerex Siemens Semiconductor (西门子)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Screw Chassis -
引脚数 7 3 -
封装 34MM-1 Module -
额定功率 625 W - -
耗散功率 625 W - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -40 ℃ - -
耗散功率(Max) 625000 mW - -
长度 94 mm - -
宽度 34 mm - -
高度 30.5 mm - -
封装 34MM-1 Module -
工作温度 -40℃ ~ 125℃ - -
产品生命周期 Not Recommended for New Design Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) - -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -
含铅标准 Lead Free Contains Lead -