2N6193和JANTXV2N6193

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6193 JANTXV2N6193 JAN2N6193

描述 PNP中功率硅晶体管 PNP MEDIUM POWER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT PNP 100V 5A 3Pin TO-39Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semicoa Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 TO-39-3 TO-39 TO-39

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-39-3 TO-39 TO-39

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bag Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free -

耗散功率 1 W 1 W -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V -

最小电流放大倍数(hFE) 60 @2A, 2V 60 @2A, 2V -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台