MC1413DR2G和ULN2004A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC1413DR2G ULN2004A MC1413DR2

描述 NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管STMICROELECTRONICS  ULN2004A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP反相输出达林顿管阵列

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 DIP-16 SOIC-16

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 500 mA 500 mA 500 mA

输出接口数 - 7 -

输出电压 50 V 50 V -

输出电流 500 mA 500 mA -

通道数 - 7 -

针脚数 16 16 -

极性 NPN NPN NPN

输入电容 - 15.0 pF -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

热阻 - 70 ℃/W -

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @350mA, 2V 1000 @350mA, 2V 1000 @350mA, 2V

输入电压(Max) - 15 V -

输入电压(Min) - 6 V -

输出电压(Max) - 50 V -

输出电流(Max) - 500 mA -

直流电流增益(hFE) 1000 1000 -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -20 ℃ -20 ℃ 20 ℃

输入电压 30 V 30 V -

电源电压(DC) 30.0 V - -

无卤素状态 Halogen Free - -

集电极最大允许电流 0.5A - 0.5A

长度 10 mm 20 mm 10 mm

宽度 4 mm 7.1 mm 4 mm

高度 1.5 mm 5.1 mm 1.5 mm

封装 SOIC-16 DIP-16 SOIC-16

工作温度 150℃ (TJ) -40℃ ~ 85℃ (TA) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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