BC807-40LT1G和BC807-40LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC807-40LT1G BC807-40LT3G BC807-40-7-F

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC807-40LT1G  晶体管 双极-射频, PNP, -45 V, 100 MHz, 300 mW, -500 mA, 250 hFEON SEMICONDUCTOR  BC807-40LT3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -500 mA, 40 hFE 新DIODES INC.  BC807-40-7-F  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 310 mW, -500 mA, 250 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

针脚数 3 3 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 300 mW 225 mW 310 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @100mA, 1V 250 @100mA, 1V 250 @100mA, 1V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 310 mW

直流电流增益(hFE) 250 40 250

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 310 mW

增益频宽积 - 100 MHz -

额定功率 - - 0.31 W

长度 2.9 mm 2.9 mm 3.05 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 0.94 mm 0.94 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

军工级 - - Yes

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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