对比图
型号 NTB35N15G NTB35N15T4 NTB35N15
描述 37A,150V功率MOSFET功率MOSFET 37安培， 150伏特N沟道增强模式D2PAK Power MOSFET 37 Amps, 150 Volts N-Channel Enhancement-Mode D2PAK150V,37A,N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK-3
额定电压(DC) 150 V 150 V 150 V
额定电流 37.0 A 37.0 A 37.0 A
漏源极电阻 50.0 mΩ 50.0 mΩ 50.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2 W 2 W 178 W
输入电容 3.20 nF - 3.20 nF
栅电荷 100 nC - 100 nC
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
漏源击穿电压 150 V 150 V 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 37.0 A 37.0 A 37.0 A
上升时间 125 ns 125 ns -
输入电容(Ciss) 3200pF @25V(Vds) 3200pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 2 W - -
下降时间 120 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 2 W 2 W -
阈值电压 - - 4 V
封装 TO-263-3 TO-263-3 D2PAK-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tube Bulk Tube
最小包装 - - 800
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead
ECCN代码 - EAR99 -